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低RIN大功率半导体激光器

价格: 面议

供应商: 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司

交付周期: 面议

产品类型: 定制产品

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产品详情

该产品通过采用大功率芯片设计、高效光耦合 设计和热控设计实现了40mW激光输出,主要 性能指标对标美国Emcore公司1782型激光器 产品,已成功在多个微波光子链路、激光雷达 项目中进行了验证和测试。


性能特点

  • 高功率
  • 低噪声
  • 蝶形封装
  • 可原位替代国外产品

典型应用

  • 微波光子
  • 电子对抗
  • 激光雷达
  • 光纤传感

主要参数

Parameter  Min  Typ  Max  Unit 
波长 1530 1550 1572 nm
光功率 / 40 / mW
线宽 / 2 / MHz
边模抑制比 35 40 / dB
偏振消光比 20 25 / dB
RIN噪声 -165 -150 -140 dBc/Hz
工作温度 -40 25 55
存储温度 -40 25 85

注意事项

  • 高于额定最大电压很可能造成设备永久性损坏或性能下降。请勿在未通电工作状态下接入光源,以免设备损坏;
  • 本产品属于静电敏感器件,为防止静电放电引起的设备损坏,请在包装、运输、操作或安装本产品过程中,严格遵守防静电保 护措施(ESD)。也要注意来自电源的浪涌冲击,以免造成永久性损伤;
  • 尾纤易折断,不要拉抻弯折。操作或安装本产品时,不要拉抻挤压尾部套管。对管脚进行焊接时,焊接温度不要超过260℃, 焊接时间不得超过10分钟,在焊接过程中器件应处于不带电状态,电烙铁保持良好接地。
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