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大容量DDR2是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器，由1片或多片DDR2基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
火箭制造与发射
地面终端与设施
材料与电子元器件
卫星应用服务
大容量DDR2是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器，由1片或多片DDR2基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
总容量：1Gb~8Gb;
频率：最高达333MHz；
位宽：8bit、16bit、72bit；
电源电压：1.8V；
典型产品辐照指标：
TID: 100 krad（Si）
SEL: ＞62.5 Mev·cm2/mg
SEU: 2 Mev·cm2/mg
工作温度：
0℃~+70℃
-40℃~+85℃
-40℃~+105℃
产品列表：# | DDR2 | 存储 容量 | 存储 组织 | 电压 | 频率 | 抗辐射 | 封装 | 温度 等级 | 筛选 等级 | 质量 等级 | ||
TID 1 | SEL 2 | SEU 3 | ||||||||||
1 | VD2D1G08xS74xx1U6 | 1Gbit | 128M*8 | 1.8V | 333MHz | TBD | TBD | TBD | SOP74 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
2 | VD2D2G16XB95XX2U6 | 2Gbit | 128M*16 | 1.8V | 333MHz | 150 | TBD | TBD | BGA95 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
3 | VD2D8G08XS88XX8U6 | 8Gbit | 1G*8 | 1.8V | 266MHz | TBD | TBD | TBD | SOP88 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
4 | VD2D4G72xB191xx3U6 | 4Gbit | 64M*72 | 1.8V | 333MHz | 100 | 62.5 | 2 | BGA191 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose（Krads(Si)）
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
